Мобильная версия

НЦ Радиационная физика материалов

Научный центр по исследованию природы люминесценции и механизмов создания радиационных дефектов в щелочногалоидных кристаллах (ЩГК) при понижении симметрии решетки был организован по инициативе К.Ш. Шункеева в 1984 году. При непосредственной поддержке академика Лущика Чеслава Брониславовича лаборатория приобрела научное направление и была оснащена необходимыми приборами для создания экспериментальных установок по абсорбционной, люминесцентной и термоактивационной спектроскопии, а также регистрации ионной проводимости и токов термостимулированной деполяризации кристаллов при понижении симметрии решетки.

Универсальный криостат, разработанный нами, был изготовлен в конструкторском бюро института физики Тартуского университета Эстонии.

Научно-исследовательские центры

НИЦ Прикладной математики и информатики

НЦ Радиационная физика материалов

Центр социальных исследований

Институт гуманитарных исследований

НИЦ История, этнография и археология

Направления научных исследований:

- Экспериментальные исследования методами абсорбционной, люминесцентной и термоактивационной спектроскопии, а также регистрации ионной проводимости и токов термостимулированной деполяризации кристаллов при понижении симметрии решетки.

- Теоретические исследования процессов автолокализации электронных возбуждений в щелочногалоидных кристаллах при понижении симметрии решетки.

- Компьютерное моделирование механизмов образования радиационных дефектов в щелочногалоидных кристаллах при понижении симметрии решетки.

- Теоретическое исследование и компьютерное моделирование флуктуационной сверхпроводимости и транспорта тока в слабосвязанных сверхпроводниках.

- Разработка технологии составления современной геологической карты по ресурсам диатомитов на территории Актюбинской области Мугалжарского района (Примугалжарье, площадь «Жалпак»).

 

Международное сотрудничество осуществляется со следующими организациями:

- Тартуский университет Эстонии (University of Tartu, Estonia),

- Гданьский университет Польши (University of Gdansk, Poland),

- Латвийский университет (University of Latvia, Riga),

- Московский государственный университет имени М. Ломоносова (Москва, Россия),

- Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург, Россия),

- Национальный исследовательский Томский университет (Томск, Россия),

- Уральский федеральный университет имени Первого Президента России Б. Н. Ельцина (Екатеринбург, Россия),

- Кемеровский государственный университет (Кемерово, Россия),

- National Laboratory Astana (Астана, Казахстан).

Осуществляется академическая мобильность студентов и профессорско-преподавательского состава университета с Гданьским (Польша) и Тартуским (Эстония) университетами.

 

Научные гранты:

- 2003-2005 гг. «Провести спектроскопические исследования механизмов образования точечных дефектов и их микроструктуры в ионно-диэлектрических системах при изменении симметрии решетки».

- 2006-2008 гг. «Управление люминесцентными свойствами широкозонных материалов с ограниченной размерностью при понижении симметрии решетки».

- 2009-2011 гг. «Исследование свойств наноструктурированных радиационных дефектов в ионно-диэлектрических материалах при понижении симметрии решетки в широком диапазоне температур».

- 2012-2014 гг. «Разработка технологии управления физическими свойствами щелочногалоидных и сверхпроводящих материалов при понижении симметрии решетки».

- 2013-2015 гг. «Технология аккумулирования электричества на основе щелочногалоидных кристаллов при понижении симметрии решетки».

- 2015-2017 гг. «Технология управления механизмом трансформации энергии ионизирующей радиации в щелочногалоидных кристаллах-сцинтилляторах».

- 2015-2017 гг. «Разработка технологии управления оптическими свойствами оксидов, фторидов и щелочногалоидных кристаллов при понижении симметрии решетки для получения материалов с заданными люминесцентными характеристиками».

 

Договорная работа:

В 2015 году осуществлялась договорная работа с «National Laboratory Astana» по теме «Разработка технологии составления современной геологической карты по ресурсам диатомитов на территории Актюбинской области Мугалжарского района (Примугалжарье, площадь «Жалпак»)».

 

Диссертации:

На базе научного центра были защищены одна докторская (Шункеев К.Ш.), восемь кандидатских диссертаций (Сармуханов Е.Т., Бекешев А.З., Тулепбергенов С.К., Сагимбаева Ш.Ж., Мясникова Л.Н., Бармина А.А., Сергеев Д.М., Бижанова К.Б.), две диссертации доктора PhD (Жантурина Н.Н., Аймаганбетова З.К.).

 

Публикации:

Результаты исследований опубликованы в более чем 20 зарубежных журналах с импакт-фактором «Physics State Solid», «Journal of Luminescence», «Journal of Physics: Condensed Matter», «Radiation Measurements», «Физика твердого тела», «Journal of Applied Spectroscopy», «Russian Physics Journal», «Low Temperature Рhysics», «Journal of Physics: Conference Series»,.

Патенты:

1. Шункеев К.Ш., Сармуханов Е.Т., Бекешев А.З., Сагимбаева Ш.Ж. Криостат для деформации кристаллов в широком интервале температур (80-500 К) / Предпатент РК № 14831. опубл. 25.03.03. № 2003/0399.1.

2. Шункеев К.Ш., Сармуханов Е.Т., Бекешев А.З., Сагимбаева Ш.Ж. Способ усиления собственной люминесценции щелочногалоидных кристаллов / Предпатент РК № 14383. опубл. 08.07.03. № 2003/0937.1.

3. Шункеев К., Бармина А., Сармуханов Е., Бижанова К. Универсальный криостат для регистрации спектров поглощения кристаллов при низкой температуре под воздействием деформации и радиации // Патент РК № 26141. Заявка №2010/0304.1 Бюл. № 9 от 14.09.2012.

4. Шункеев К., Нурмагамбетов А., Бармина А., Мясникова Л.Н., Сергеев Д., Жантурина Н. Универсальный криостат для регистрации низкотемпературной ионной проводимости и токов термостимулированной деполяризации деформированных и облученных кристаллов // Инновационный патент на изобретение РК. заявитель Актюб. гос. ун-т им. К. Жубанова. – № 28731; бюл. №7 15.07.2014.

5. Шункеев К., Сергеев Д., Мясникова Л.Н., Бармина А., Аймаганбетова З.К. Способ определения низкотемпературных вакансионных дипольных дефектов в щелочногалоидных кристаллах методом термостимулированной деполяризации // Патент на изобретение РК. заявитель Актюб. гос. ун-т им. К. Жубанова. Опублик. 30.12. 2016. B(11) 31799; G01N 27/00 (2006/01)

Премии и стипендии:

- Премия имени К. Сатпаева МОН РК (Шункеев К.Ш., Сагимбаева Ш.Ж., Тулепбергенов С. К. Бекешев А. З.)

- Государственная научная стипендия МОН РК (Шункеев К.Ш.)

- Государственная научная стипендия МОН РК для молодых ученых (Сергеев Д.М., Бармина А.А.)

- Государственный грант МОН РК «Лучший преподаватель вуза» (Шункеев К.Ш.)

- Премия Акима Актюбинской области (Бармина А.А., Мясникова Л.Н.)

- «Лучший молодой ученый Актюбинской области - 2016» (2 место) (Мясникова Л.Н., Жантурина Н.Н., Сергеев Д.М.)

Интенсивность, отн. ед.KI(з.о.)1Энергия фотонов, эВ25432

- «Лучший молодой ученый Актюбинской области - 2017» (1 место) (Жантурина Н.Н., Мясникова Л.Н., Сергеев Д.М., Бармина А.А.)

Подготовка кадров

Ведется научное руководство диссертаций магистрантов специальности 6М011000 – Физика и 6М060400 – Физика.

Монографии:

На базе научного центра по результатам многолетних трудов было выпущено четыре монографии:

- Шункеев К.Ш. Люминесценция и радиационные дефекты в щелочногалоидных кристаллах при понижении симметрии решетки. – Актобе, 2012. – 516 с.

- Шункеев К.Ш. Релаксация электронных возбуждений в щелочногалоидных кристаллах при понижении симметрии решетки. – Актобе, 2008. – 436 с.

- Сергеев Д.М. Ангармонизм сверхпроводящего тока в джозефсоновских структурах. – Актобе, 2012.

- Мясникова Л.Н. Люминесценция и экситон-фононное взаимодействие в щелочногалоидных кристаллах при низкотемпературной деформации». – Актобе, 2016. – 140 с.

Основные результаты:

1. Разработаны экспериментальные установки на основе методов абсорбционной, люминесцентной и термоактивационной спектроскопии, а также ионной проводимости и токов термостимулированной деполяризации для исследования природы люминесценции и механизмов образования радиационных дефектов в щелочногалоидных кристаллах при понижении решетки точечными дефектами, пластической и упругой одноосной деформацией.

2. Изготовлен и запатентован уникальный криостат, позволяющий деформировать кристалл при низких температурах в режиме высокого технического вакуума и регистрировать их люминесцентные, абсорбционные и термоактивационные характеристики, а также ионной проводимости и токов термостимулированной деполяризации.

3. Впервые обнаружен и интерпретирован эффект усиления интенсивности автолокализованных экситонов в ЩГК при низкотемпературной упругой деформации, на основе которой предложен новый способ усиления собственной люминесценции щелочногалоидных кристаллов без трансформации энергии возбуждения на примеси для поиска современных сцинтилляционных счетчиков.

4. Обнаруженный эффект усиления интенсивности собственной люминесценции щелочногалоидных кристаллов запатентован в Республике Казахстан. Регистрационный номер №14383.

5. На основе регистрации токов термостимулированной деполяризации кристаллов, активированные легкими катионами-гомологами обнаружены поляризационные токи, которые интерпретированы переориентацией дипольных дефектов широко применимые для аккумулирования электричества постоянного тока.

6. Установлен механизм эффективного создания - 3 X - центров в результате ассоциации междоузельных атомов галогена путем понижения локальной симметрии решетки ЩГК полем легких катионов-гомологов, вакансионных дефектов пластической деформации и напряжением низкотемпературной упругой деформации.

7. Разрабатывается новый физический принцип сборки электронно-дырочных пар на основе кристаллов, активированных легкими примесями натрия существенно улучающие сцинтилляционные характеристики щелочногалоидных кристаллов, применимые в промышленности.

8. Методами силикатного, спектрофотометрического, рентгено-дифракционного, рентгено-спектрального, химического, электронно-микроскопического анализов исследован состав диатомовых пород по площади «Жалпак». По результатам исследований определено значение концентрации двуокиси кремния в природном диатомите, которое варьируется от 72,69% до 78,14%, что свидетельствует об однородности диатомовых пород.

9. На базе научного центра «Радиационная физика материалов» разработана методика по регистрации спектров поглощения (максимум при 305÷335 нм) аморфного кремния (диатомита) и трех оксидных компонентов SiO2, Al2O3 и Fe2O3 с помощью современного спектрофотометра «Evolution 300».

 

Экспериментальная установка по термоактивационной спектроскопии

Установка позволяет регистрировать при низких температурах (температура жидкого азота 77К или -1960С) следующие оптические характеристики щелочногалоидных кристаллов:

- Спектры рентгено-люминесценции в диапазоне 1,5-6,1 эВ в автоматическом режиме при различных температурах,

- Спектры туннельной люминесценции в диапазоне 1,5-6,1 эВ в автоматическом режиме при различных температурах,

- Спектры вспышки радиационных дефектов при дополнительном возбуждении фотонами в максимумах электронных центров окраски,

- Одновременно регистрировать как интегральную, так и спектральную составляющие термостимулированной люминесценции.

Спектральный диапазон установки определяется монохроматором МСД-2,

регистрирующий излучение от 200 нм до 850 нм. Развертка спектров излучения в диапазоне 200-850 нм (6,1-1,5 эВ) осуществлялась в автоматическом режиме с пульта управления МСД-2 со средними скоростями 1; 2; 5; 10 и 20 нм/с.

Облучение кристаллов осуществляется от рентгеновской установки РУП-120 в режиме 3 мА, 120 кВт.

 

Криостат для деформации кристаллов при 80÷500 К. Запатентован в РК.

Криостат позволяет измерять люминесцентно-абсорбционные характеристики кристаллов (спектры поглощения, возбуждения, излучения, рентгенолюминесценции, термо-стимулированной люминес-ценции, туннельной люминес-ценции, токов термостимулиро-ванной деполяризации и ионной проводимости) как до деформации, так и при воздействии упругой и пластической деформации различных степеней (0 ≤ Ꜫ ≤ 10%) в широком интервале температур (80÷500 К).

 

 

Экспериментальная установка по термоактивационной спектроскопии

Установка позволяет регистрировать ионную проводи-мость и токи термостимулиро-ванной деполяризации кристаллов в широком интервале температур от - 196°С до 350°С в сочетании специализированного криостата, который осуществляет режим температуры и низкотемпературной деформации. Установка собрана на базе стандартного вакуумного поста ВУП-4. Уровень технического вакуума достигается двумя ступенями: форвакуумная откачка до 10⁻² Торр, а затем – диффузионным насосом до 10⁻⁵ Торр.

В спектрах токов термостимулированной деполяризации ЩГК обнаружены поляризационные токи дипольных дефектов. Такой способ регистрации поляризационных дипольных токов ЩГК в широком диапазоне температур (80 – 500 К) после воздействия пластической деформации,

 создающей дивакансии            , оформлен в виде заявки на изобретение.

Техническим результатом, достигаемым в данном изобретении, является способ регистрации поляризационных дипольных дефектов в ЩГК и определение их температуры максимальной дезориентации по пикам спектра токов термостимулированной деполяризации, осуществляемой линейным нагревом кристалла в диапазоне температур от 80К до 500 К.

 

Экспериментальная установка люминесцентной спектроскопии на базе спектрального комплекса СДЛ-2

Спектральный комплекс в диапазоне спектра от 180 нм до 1200 нм со сменной дифракционной решеткой позволяет регистрировать спектры оптического поглощения, возбуждения и излучения веществ (кристаллов, жидкости и газов) и прозвести кинетику этих спектров по времени. Необходимость использования высокочувст-вительного люминесцентного метода продиктована тем, что абсорбционная спектроскопия не позволяет регистрировать малое количество радиационных дефектов, созданные вакуумно-ульрафиолетовой радиацией. Особенность экспериментальной установки заключается в селективном создании электронных возбуждений в ЩГК при возбуждении фотонами различной энергии в отличие от рентгеновской радиации. Энергия возбуждающего фотона выделяется монохроматором МДР-23, а регистрация фотонов, испускаемые кристаллами регистрируется

монохроматорм МДР-4. Источником ультрафиолетового кванта является ксеноновая лампа, а регистратором является солнечнослепой ФЭУ-100.

 

Установка по абсорбционной спектроскопии кристаллов на база спектрофотометра СФ-26

Спектрофотометр позволяет провести анализ спектров оптического поглощения кристаллов в спектральном диапазоне – 190-900 нм. Центральным узлом установки является металлический криостат, который поддерживает температурный режим кристалла в диапазоне температур 80÷500 К, и при этих температурах осуществляется одноосная деформация кристаллов. Вакуумирование криостата осуществляется вакуумным постом (ВП): сначала предварительной откачкой форвакуумным насосом уровень вакуума достигается не ниже 10⁻² Торр, а затем переключается на адсорбционный насос, охлаждаемый жидким азотом (Т=80 К). Перед вакуумированием системы, адсорбционный насос предварительно проходит регенерацию путем нагрева до 150-200°С при постоянном откачивании форвакуумным насосом. В результате рабочий

вакуум криостата достигает выше 10⁻⁴ Торр, который измеряется вакуумметром ВИТ-2. С целью фильтрации от паров форвакуумного насоса между вакуумными насосами и криостатом подключена специальная стеклянная ловушка,  охлаждаемая жидким азотом.

 

Спектрофотометр «Evolution-300» фирмы «Thermo Scientific», USA

Автоматический регистрирующий спектрофотометр позволяет провести анализ спектров пропускания и оптического поглощения веществ (кристаллов и жидкости и газов) в спектральном диапазоне – 190-900 нм (6,5-1,4 эВ). Прибор снабжен двухлучевой оптической схемой в отличие от стандартных спектрофотометров. Встроенная компьютерная программа обеспечивает сканирование спектров в задаваемом спектральном интервале с различной скоростью и позволяет развертку кинетики по времени. Следует отметить особенность прибора, что оптическая плотность веществ регистрируется до 4 единиц, когда у существующих аналогичного назначения приборов всего лишь до 1,4.

 

Университет Жубанова

Контакты

Присоединяйтесь

Информация © 1993–2017

8 7132 24 18 31

Разработка © Центр цифровых технологий АРГУ

Правила

использования информации

в доменной зоне arsu.kz

info@arsu.kz - Канцелярия

arsuzhubanov@gmail.com - Пресс служба

 

АРГУ им. К.Жубанова, 030000, г.Актобе, пр. А.Молдагуловой,34

Мобильная версия

Карта сайта

Яндекс.Метрика